電子模擬技術(shù)

單擊此處編輯母版標(biāo)題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級(jí),第三級(jí),第四級(jí),第五級(jí),*,第六章 半導(dǎo)體二極管和三極管,6.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí),導(dǎo) 體:電阻率小于10,-4,cm,絕緣體:電阻率大于10,10,cm,半導(dǎo)體:電阻率介于10,-4,10,10,cm,之間,6.1.1 本征半導(dǎo)體,二個(gè)電子的共價(jià)鍵,二個(gè)電子的共價(jià)鍵,正離子,+4,電子空穴對(duì)的產(chǎn)生,共價(jià)鍵中原來(lái)位置留下一個(gè)空位,受熱掙脫共價(jià)鍵束縛形成自由電子,形成電子空穴對(duì),在外電場(chǎng)作用下,空穴電流,兩部分電流:,本征激發(fā)的自由電子形成電子電流;,空穴移動(dòng)產(chǎn)生的空穴電流,自由電子與空穴都稱(chēng)為,載流子,,在本征半導(dǎo)體中,自由電子和空穴的數(shù)目相同,電子運(yùn)動(dòng),空穴運(yùn)動(dòng),束縛電子:x,2,x,1,,x,3,x,2,;,相當(dāng)于空穴:x,1,x,2,x,3,外電場(chǎng),E,6.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體,N,型半導(dǎo)體(電子型半導(dǎo)體)和,P,型半導(dǎo)體(空穴型半導(dǎo)體),1,N型半導(dǎo)體,摻入,五價(jià),雜質(zhì)元素,雜質(zhì)原子提供多余的電子,電子是多數(shù)載流子,空穴是少數(shù)載流子,2,P型半導(dǎo)體,摻入,三價(jià),雜質(zhì)元素,雜質(zhì)原子提供空穴,空穴是多數(shù)載流子,電子是少數(shù)載流子,6.1.3 PN結(jié),1PN結(jié)的形成,空穴擴(kuò)散,電子擴(kuò)散,載流子在電場(chǎng)作用下的定向運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為漂移運(yùn)動(dòng),當(dāng)擴(kuò)散和漂移達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí),空間電荷區(qū)的寬度就穩(wěn)定下來(lái)。
PN結(jié)就處于相對(duì)穩(wěn)定的狀態(tài),電位壁壘U,D,的大小,,硅,材料為,0.60.8V,,,鍺,材料為,0.20.3V,多數(shù)載流子的擴(kuò)散,空間電荷區(qū),內(nèi)電場(chǎng),2PN結(jié)的單向?qū)щ娦?(1)外加正向電壓,外加電壓,P,N,,外電場(chǎng),削弱內(nèi)電場(chǎng),,PN結(jié)的動(dòng)態(tài)平衡被破壞,在外電場(chǎng)的作用下,P區(qū)中的空穴進(jìn)入空間電荷區(qū),與一部分負(fù)離子中和,N區(qū)中的自由電子進(jìn)入空間電荷區(qū)與一部分正離子中和,于是整個(gè),空間電荷區(qū)變窄,,從而使多子的,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)增強(qiáng),,形成較大的擴(kuò)散電流,這個(gè)電流稱(chēng)為,正向電流,,其方向是從P區(qū)指向N區(qū)這種外加電壓接法稱(chēng)為,正向偏置,(2)外加反向電壓,外加電壓,N,P,,這種情況稱(chēng)為PN結(jié),反向偏置,這時(shí),,外電場(chǎng)增強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng),的作用在外電場(chǎng)的作用下,P區(qū)中的空穴和N區(qū)中的自由電子各自背離空間電荷區(qū)運(yùn)動(dòng),使,空間電荷變寬,,從而,抑制了多子的擴(kuò)散,,加強(qiáng)了少子的漂移,形成反向電流由于少子的濃度很低,因此這個(gè),反向電流非常小,,反向電流又稱(chēng)為反向飽和電流,通常用,I,s,表示結(jié)論,PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?:PN結(jié),正向偏置,時(shí),回路中有較大的正向電流,PN結(jié)呈現(xiàn)的電阻很小,,PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài),;當(dāng)PN結(jié),反向偏置,時(shí),回路中的電流非常小,PN結(jié)呈現(xiàn)的電阻非常高,,PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài),。
6.2 半導(dǎo)體二極管,6.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)與特性,PN結(jié)面積小,結(jié)電容小,適用于高頻和小功率,用作高頻檢波和脈沖開(kāi)關(guān),點(diǎn)接觸型,:,面接觸型:,PN結(jié)面積大,可通過(guò)較大的電流,電容效應(yīng)明顯不能用于高頻,常用作低頻整流1.結(jié)構(gòu),2.特性,二極管的伏安特性曲線(xiàn),二極管方程,U,T,=kT/q為溫度電壓當(dāng)量在常溫(T=300K)下,,U,T,26mV,當(dāng)二極管加正向電壓時(shí),若UU,T,,則,電流與電壓基本上為指數(shù)關(guān)系當(dāng)二極管加反向電壓時(shí),UU,T,,則,II,s,U,th,稱(chēng)為,死區(qū)電壓,或,門(mén)坎電壓,U,th,的大小與材料和溫度有關(guān),通常硅管約為0.5V,鍺管約為0.1V;二極管導(dǎo)通時(shí)的正向壓降,硅管為0.60.8V,鍺管為0.20.3VU,BR,稱(chēng)為,反向擊穿電壓,6.2.2 二極管的主要參數(shù),1最大整流電流I,F,最大整流電流是指二極管長(zhǎng)時(shí)間工作時(shí),允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流,它由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定2最大反向工作電壓U,R,它是二極管加反向電壓時(shí)為防止擊穿所取的安全電壓,一般將反向擊穿電壓U,BR,的一半定為最大反向工作電壓U,R,3反向電流,I,R,I,R,是指二極管加上最大反向工作電壓U,R,時(shí)的反向電流。
I,R,愈小,二極管的單向?qū)щ娦跃陀么送猓捎诜聪螂娏魇怯缮贁?shù)載流子形成的,所以,溫度對(duì),I,R,的 影響很大,4最高工作頻率f,M,f,M,主要由PN結(jié)電容的大小決定,結(jié)電容愈大,則f,M,就越低若工作頻率超過(guò)f,M,,則二極管的單向?qū)щ娦跃妥儾?,甚至無(wú)法使用二極管主要是利用其,單向?qū)щ娦?,通常用于整流、檢波、限幅、元件保護(hù)等,在數(shù)字電路中常作為開(kāi)關(guān)元件在圖示電路中,輸入電壓u,i,=10sintV,試畫(huà)出電路的輸出電壓波形設(shè)二極管為理想二極管,正向?qū)〞r(shí)壓降為零,反向偏置時(shí),反向電流為零解,:對(duì)圖 a所示電路,由于二極管具有單向?qū)щ娦?,在u,i,的正半周,D導(dǎo)通,u,o1,=u,i,;在u,i,的負(fù)半周,D截止,i=0,u,o1,=0對(duì)圖b所示電路,當(dāng)u,i,5V時(shí),D導(dǎo)通,u,o2,=5V;當(dāng)u,i,5V時(shí),D截止,i=0,u,R,=0,故u,o2,=u,i,-u,R,=u,i,例:求圖所示電路中O點(diǎn)的電位設(shè)二極管的正向壓降為0.7V兩個(gè)二極管都能導(dǎo)通,由于A點(diǎn)電位比B點(diǎn)高,所以D,1,優(yōu)先導(dǎo)通,D,1,導(dǎo)通后,,此時(shí)D,2,上加的是反向電壓,故D,2,載止在這里D,1,起鉗位作用,即把O點(diǎn)的電位鉗住在2.3V,而D,2,起隔離作用,把輸入端B和輸出端O隔離開(kāi)來(lái)。
解:,課堂練習(xí):,6.7 題 圖(a)所示電路中,設(shè)二極管的正向壓降為0.6V,輸入電壓的波形如圖(b)所示,試畫(huà)出輸出電壓波形作業(yè):6.8;6.9,。
